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硅外延層堆垛層錯(cuò)密度測(cè)定干涉相襯顯微鏡法 已作廢

Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference contrast microscopy

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 14145-1993

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 14145-1993
發(fā)布時(shí)間：1993-02-06
實(shí)施時(shí)間：1993-10-01
首發(fā)日期：1993-02-06
起草人：
作廢日期：2005-10-14
標(biāo)準(zhǔn)分類： 金相檢驗(yàn)方法
ICS分類：  29.040.30
起草單位：上海有色金屬研究所
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門：國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
主管部門：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用干涉相襯顯微鏡非破壞性測(cè)量硅外延層堆垛層錯(cuò)密度的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅外延層厚度不小于3μm、外延層晶向偏離｛111｝晶面或｛100｝晶面角度較小的試樣的堆垛層錯(cuò)密度測(cè)量。當(dāng)堆垛層錯(cuò)密度超過15000cm-2或當(dāng)外延層晶向與｛111｝晶面或｛100｝晶面偏離角度較大時(shí)，測(cè)量精度將有所降低。

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