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半導(dǎo)體集成電路 塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范
半導(dǎo)體集成電路 塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范 現(xiàn)行
Semiconductor integrated circuits—Specification of leadframes for plastic quad flat package
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 15876-2015
基本信息
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 15876-2015
發(fā)布時(shí)間：2015-05-15
實(shí)施時(shí)間：2016-01-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：林桂賢、陳仲賢、洪玉云
出版機(jī)構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半導(dǎo)體集成電路
ICS分類：集成電路、微電子學(xué)
提出單位：全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC78)
起草單位：廈門永紅科技有限公司
歸口單位：全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC78)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：工業(yè)和信息化部（電子）
標(biāo)準(zhǔn)簡介
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路塑料四面引線扁平封裝引線框架(以下簡稱引線框架)的技術(shù)要求及檢驗(yàn)規(guī)則。本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路塑料四面引線扁平封裝沖制型引線框架。塑料四面引線扁平封裝刻蝕引線框架也可參照使用。
標(biāo)準(zhǔn)摘要
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本標(biāo)準(zhǔn)按照 GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。 本標(biāo)準(zhǔn)代替 GB/T15876—1995《塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范》。 本標(biāo)準(zhǔn)與 GB/T15876—1995相比主要變化如下: ———按照標(biāo)準(zhǔn)的使用范圍,將原標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為“半導(dǎo)體集成電路 塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范”; ———規(guī)范性引用文件:增加引導(dǎo)語;抽樣標(biāo)準(zhǔn)由 GB/T2828.1—2012代替 SJ/Z9007—87;增加引用文件 GB/T2423.60—2008、SJ20129; ———標(biāo)準(zhǔn)中的4.1由“設(shè)計(jì)”改為“引線框架尺寸”,并將原標(biāo)準(zhǔn)中引線鍵合區(qū)寬度、精壓深度和金屬間隙的有關(guān)內(nèi)容調(diào)整到4.2; ———對標(biāo)準(zhǔn)的“4.2 引線框架形狀和位置公差”中相應(yīng)條款順序進(jìn)行了調(diào)整,并增加了芯片粘接區(qū)下陷的有關(guān)要求; ———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“卷曲”的要求(見4.2.2):原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了卷曲變形小于0.51mm,本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定; ———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“橫彎”的要求(見4.2.3):原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了引線數(shù)52~100、132~164、196~244三個(gè)范圍內(nèi)的橫彎值,本標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)大了引線數(shù)涵蓋的范圍; ———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“條帶扭曲”的要求(見4.2.4):原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了框架扭曲不超過0.51mm,本標(biāo)準(zhǔn)將框架扭曲修改為條帶扭曲,并根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定; ———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“引線扭曲”的要求(見4.2.5):原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了引線扭曲的角度及引線寬度上的最大偏移量,本標(biāo)準(zhǔn)刪除了引線寬度上最大偏移量的規(guī)定; ———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“精壓深度”的要求(見4.2.6):原標(biāo)準(zhǔn)未考慮精壓深度對精壓寬度的影響,簡單的規(guī)定了精壓深度的尺寸范圍。本標(biāo)準(zhǔn)修改為:在保證精壓寬度不小于引線寬度90%的條件下,精壓深度不大于材料厚度的30%,其參考值為0.015mm~0.06mm; ———將“金屬間隙”修改為“絕緣間隙”,并修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“絕緣間隙”的要求(見4.2.7):原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定“金屬與金屬的間隙應(yīng)受金屬間隙的要求限制,每邊最大精壓凸出不超過0.051mm”,本標(biāo)準(zhǔn)修改為“相鄰兩精壓區(qū)端點(diǎn)間的間隔及精壓區(qū)端點(diǎn)與芯片粘接區(qū)間的間隔大于0.076mm”; ———修改 了 標(biāo) 準(zhǔn) 中 對 “精 壓 引 線 端 共 面 性”的 要 求 (見 4.2.8):原 標(biāo) 準(zhǔn) 中 規(guī) 定 的 公 差 范 圍 為±0.15mm、±0.2mm,本標(biāo)準(zhǔn)考慮到極限情況把負(fù)差改為-0.1mm; ———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“芯片粘接區(qū)斜度”的要求(見4.2.9):原標(biāo)準(zhǔn)中分別規(guī)定了在打凹和未打凹條件下的最大斜度,本標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一規(guī)定為在長或?qū)捗?.54mm 尺寸最大傾斜0.05mm; ———將“芯片粘接區(qū)平整度”改為“芯片粘接區(qū)平面度”,并修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“芯片粘接區(qū)平面度”的要求(見4.2.11):取消了原標(biāo)準(zhǔn)中每2.54mm 芯片粘接區(qū)長度的限制; ———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“毛刺”的要求(見 4.3.1):原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了垂直毛刺和水平毛刺都不超過0.025mm,本標(biāo)準(zhǔn)對垂直毛刺和水平毛刺分別進(jìn)行了規(guī)定; ———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“凹坑、壓痕和劃痕”的要求(見4.3.2):在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加劃痕的有關(guān)要求; ———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“局部鍍銀層厚度”的要求(見4.4.1):原標(biāo)準(zhǔn)僅規(guī)定了局部鍍銀層的厚度,本 標(biāo)準(zhǔn)對局部鍍銀層厚度及任意點(diǎn)分別進(jìn)行了規(guī)定; ———增加了“銅剝離試驗(yàn)”的有關(guān)要求(見4.6); ———增加了“銀剝離試驗(yàn)”的有關(guān)要求(見4.7); ———對標(biāo)準(zhǔn)“5檢驗(yàn)規(guī)則”中相應(yīng)條款進(jìn)行修改,參照 GB/T14112—2015檢驗(yàn)規(guī)則,并增加了鑒定批準(zhǔn)程序和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的有關(guān)內(nèi)容; ———修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“貯存”的有關(guān)要求:原標(biāo)準(zhǔn)有鍍層的保存期為3個(gè)月,本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為6個(gè)月(見7.2); ———增加了規(guī)范性附錄 A“引線框架機(jī)械測量”。 請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任。 本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出。 本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC78)歸口。 本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:廈門永紅科技有限公司。 本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:林桂賢、陳仲賢、洪玉云。 本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為: ———GB/T15876—1995。 |
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