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用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的方法

Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 14863-2013
基本信息
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 14863-2013
發(fā)布時(shí)間:2013-12-31
實(shí)施時(shí)間:2014-08-15
首發(fā)日期:
出版單位:中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人:何秀坤、董顏輝、周智慧、段曙光、劉筠
出版機(jī)構(gòu):中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類: 半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類:半導(dǎo)體材料
提出單位:中華人民共和國工業(yè)和信息化部
起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院
歸口單位:中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院
發(fā)布部門:中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門:中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的測(cè)試方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于外延層厚度不小于某一最小厚度值相同或相反導(dǎo)電類型襯底上的n型或p型外延層的凈載流子濃度測(cè)量。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于硅拋光片的凈載流子濃度測(cè)量。
標(biāo)準(zhǔn)摘要
本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。 本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T14863—1993《用柵控和非柵控二極管的電壓-電容關(guān)系測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的標(biāo)準(zhǔn)方法》。 本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T14863—1993相比,主要有下列變化: ———增加了標(biāo)準(zhǔn)的“前言”; ———調(diào)整并增加了引用標(biāo)準(zhǔn); ———對(duì)試驗(yàn)條件、試驗(yàn)方法進(jìn)行了簡(jiǎn)化和調(diào)整; ———對(duì)附錄進(jìn)行了調(diào)整。 本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出。 本標(biāo)準(zhǔn)由中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院歸口。 本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院。 本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:何秀坤、董顏輝、周智慧、段曙光、劉筠。 本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為: ———GB/T14863—1993。 |
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