半導體器件 分立器件 第6部分:閘流晶體管 第二篇 100A以下環境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規范 現行
Semiconductor devices -Discrete devices -Part 6:Thyristors- Section Two-Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs), ambient or case-rated,up to 100A
標準號：GB/T 6590-1998
基本信息
標準號：GB/T 6590-1998
發布時間：1998-01-01
實施時間：1999-06-01
首發日期：1986-07-23
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半導體整流器件
ICS分類：晶體閘流管
起草單位：電子部標準化所
歸口單位：全國半導體器件標準化技術委員會
發布部門：國家質量技術監督局
主管部門：信息產業部（電子）
標準簡介
本空白詳細規范規定了制定100A以下（含100A）環境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管(包括快速型)詳細規范的基本原則，制定該范圍內的所有詳細規范應盡可能與本空白詳細規范相一致。
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