
Trichlorosilane for silicon epitaxy—Determination of boron,aluminium,phosphorus,vanadium,chrome,manganese,iron,cobalt,nickel,copper,arsenic,molybdenum and antimony content—Inductively coupled plasma mass spectrometric method
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 29056-2012
基本信息
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 29056-2012
發(fā)布時(shí)間:2012-12-31
實(shí)施時(shí)間:2013-10-01
首發(fā)日期:
出版單位:中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人:鄭華榮、劉新軍、龔磊榮、張莉萍、黃和明、陳逸君、虞磊
出版機(jī)構(gòu):中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類: 電子技術(shù)專用材料
ICS分類:
31.030
提出單位:全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)
起草單位:南京中鍺科技股份有限公司、南京大學(xué)現(xiàn)代分析中心、南京大學(xué)國(guó)家863計(jì)劃新材料MO 源研究開發(fā)中心
歸口單位:全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)
發(fā)布部門:中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門:全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)測(cè)定硅外延用三氯氫硅(SiHCl3)中硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷、銻等痕量元素含量的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅外延用三氯氫硅(SiHCl3)中硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷、銻等含量的測(cè)定。
標(biāo)準(zhǔn)摘要
本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。 本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)提出并歸口。 本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:南京中鍺科技股份有限公司、南京大學(xué)現(xiàn)代分析中心、南京大學(xué)國(guó)家863計(jì)劃新材料MO 源研究開發(fā)中心。 本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:鄭華榮、劉新軍、龔磊榮、張莉萍、黃和明、陳逸君、虞磊。 |
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