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硅多晶 已作廢

Specification for polycrystalline silicon

標準號：GB/T 12963-2009

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基本信息

標準號：GB/T 12963-2009
發(fā)布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發(fā)日期：1991-06-04
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：羅莉萍、張輝堅、王炎
作廢日期：2015-09-01
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 元素半導體材料
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：峨眉半導體材料廠
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準規(guī)定了硅多晶的產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、運輸、貯存。本標準適用于以三氯氫硅或四氯化硅用氫還原法制得的硅多晶。

標準摘要

本標準修改采用SEMIM161103:2003《多晶硅規(guī)范》,主要差異如下:
---增加了技術參數(shù),如對基磷、基硼電阻率、碳濃度和n型少子壽命的等級要求;
---增加了硅多晶尺寸范圍要求。
本標準代替GB/T12963-1996《硅多晶》。
本標準與GB/T12963-1996相比,主要有如下變動:
---基磷電阻率等級由300Ω·cm、200Ω·cm、100Ω·cm 修訂為500Ω·cm、300Ω·cm、200Ω·cm;
---增加氧化夾層術語。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:峨眉半導體材料廠。
本標準主要起草人:羅莉萍、張輝堅、王炎。
本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:
---GB/T12963-1991、GB/T12963-1996。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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