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半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器 空白詳細規(guī)范(可供認證用) 現(xiàn)行

Blank detail specification for semiconductor integrated circuit fusible-link programmable bipolar read-only memories

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 14119-1993

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 14119-1993
發(fā)布時間：1993-01-21
實施時間：1993-08-01
首發(fā)日期：1993-01-21
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：
出版機構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半導(dǎo)體集成電路
ICS分類：集成電路、微電子學(xué)
起草單位：集成電路標(biāo)委會
歸口單位：全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
發(fā)布部門：國家技術(shù)監(jiān)督局
主管部門：信息產(chǎn)業(yè)部（電子）

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本規(guī)范規(guī)定了編制半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器詳細規(guī)范的基本原則。本規(guī)范是半導(dǎo)體集成電路一系列空白詳細規(guī)范中的一個，它應(yīng)與GB 4589.1《半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB 12750《半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范》一起使用。

替代情況

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本標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)公告

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