當前位置：
首頁 >
表面化學分析 二次離子質譜 硅中砷的深度剖析方法
表面化學分析 二次離子質譜 硅中砷的深度剖析方法 現行
Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon
標準號：GB/T 32495-2016
基本信息
標準號：GB/T 32495-2016
發布時間：2016-02-24
實施時間：2017-01-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：馬農農、陳瀟、何友琴、王東雪
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 基礎標準與通用方法
ICS分類：化學分析
提出單位：全國微束標準化技術委員會(SAC/TC 38)
起草單位：中國電子科技集團公司第四十六研究所
歸口單位：全國微束標準化技術委員會(SAC/TC 38)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
標準簡介
本標準詳細規定了用扇形磁場或四極桿式二次離子質譜儀對硅中砷進行深度剖析的方法，以及用觸針式輪廓儀或光學干涉儀深度定標的方法。本標準適用于砷原子濃度范圍從1×1016 atoms/cm3～2.5×1021 atoms/cm3的單晶硅、多晶硅、非晶硅樣品，坑深在50 nm及以上。
推薦檢測機構
申請入駐
暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~
推薦認證機構
申請入駐
暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~
推薦培訓機構
申請入駐
暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~
? 2018 北京寰標偉業科技發展有限公司版權所有并保留所有權利。
ICP備案證書號：京ICP備17031081號-1 客服電話：010-62050868
