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氮化鎵單晶位錯密度的測量 陰極熒光顯微鏡法 現行

Test method for dislocation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy

標準號：GB/T 32282-2015

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基本信息

標準號：GB/T 32282-2015
發布時間：2015-12-10
實施時間：2016-11-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：曾雄輝、張燚、董曉鳴、牛牧童、劉爭暉、邱永鑫、王建峰、徐科
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 金屬物理性能試驗方法
ICS分類：金屬材料試驗
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)
起草單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、蘇州納維科技有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規定了用陰極熒光顯微鏡法測試氮化鎵單晶位錯密度的方法。本標準適用于位錯密度在1×103 個/cm2~5×108 個/cm2 之間的氮化鎵單晶中位錯密度的測試。

標準摘要

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標準起草單位:中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、蘇州納維科技有限公司。
本標準主要起草人:曾雄輝、張燚、董曉鳴、牛牧童、劉爭暉、邱永鑫、王建峰、徐科。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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