半導體拋光液用硅溶膠中雜質元素含量的測定 -電感耦合等離子體原子發射光譜法 現行
Determination of impurities in silica sol for polishing solution in semiconductor industry—Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method
標準號：JC/T 2133-2012
基本信息
標準號：JC/T 2133-2012
發布時間：2012-12-28
實施時間：2013-06-01
首發日期：
出版單位：建材工業出版社查看詳情>
起草人：陳奕睿 等
出版機構：建材工業出版社
標準分類： 解熱鎮痛、麻醉與中樞神經系統用藥
ICS分類：分析化學
起草單位：中國科學院上海硅酸鹽研究所
歸口單位：全國工業陶瓷標準化技術委員會功能陶瓷分技術委員會
發布部門：中華人民共和國工業和信息化部
標準簡介
本標準規定了采用電感耦合等離子體原子發射光譜（ICP-AES）法測定半導體拋光液用硅溶膠中雜質元素含量的方法。本標準適用于半導體化學機械拋光（CMP）中拋光液用的各種硅溶膠。
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