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硅多晶真空區熔基硼檢驗方法 已作廢

Polycrystalline silicon—Examination method—Vacuum zone-melting on boron

標準號：GB/T 4060-2007

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基本信息

標準號：GB/T 4060-2007
發布時間：2007-12-18
實施時間：2008-02-01
首發日期：1983-12-20
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：羅莉萍、梁洪、覃銳兵、王炎、王向東
作廢日期：2019-06-01
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬及半導體材料分析方法
ICS分類：金屬材料試驗綜合
提出單位：中國有色金屬工業協會
起草單位：峨眉半導體材料廠
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：中國有色金屬工業協會

標準簡介

本標準適用于多晶硅沉積在硅芯上生長的多晶硅棒基硼的試驗。

標準摘要

本標準是對國家標準GB/T4060-1983《硅多晶真空區熔基硼檢驗方法》的修訂。
本標準與GB/T4060-1983相比,主要變動如下:
---檢測雜質濃度范圍擴大為0.002×10-9~100×10-9;
---增加了規范性引用文件、術語、允許差、計算;
---將原標準中的第5章檢驗條件修訂為干擾因素;
---將原標準中的取樣位置修訂為距多晶硅棒表面不低于5mm,距多晶硅棒底部不低于50mm;
---將原標準中的試樣尺寸范圍修訂為直徑15mm~20mm,長度為180mm。
本標準自實施之日起,同時代替GB/T4060-1983。
本標準由中國有色金屬工業協會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:峨眉半導體材料廠。
本標準主要起草人:羅莉萍、梁洪、覃銳兵、王炎、王向東。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB/T4060-1983。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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