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硅片翹曲度非接觸式測試方法 現行

Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning

標準號：GB/T 6620-2009

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基本信息

標準號：GB/T 6620-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1986-07-26
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：張靜雯、蔣建國、田素霞、劉玉芹、樓春蘭
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 元素半導體材料
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：洛陽單晶硅有限責任公司，萬向硅峰電子股份有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片(以下簡稱硅片)翹曲度的非接觸式測試方法。本標準適用于測量直徑大于50mm,厚度大于180μm 的圓形硅片。本標準也適用于測量其他半導體圓片的翹曲度。本測試方法的目的是用于來料驗收或過程控制。本測試方法也適用于監視器件加工過程中硅片翹曲度的熱化學效應。

標準摘要

本標準修改采用SEMIMF6570705《硅片翹曲度和總厚度變化非接觸式測試方法》。
本標準與SEMIMF6570705相比,主要有如下變化:
---本標準沒有采用SEMI標準中總厚度變化測試部分內容;
---本標準測試硅片厚度范圍比SEMI標準中要窄;
---本標準編制格式按GB/T1.1規定。
本標準代替GB/T6620-1995《硅片翹曲度非接觸式測試方法》。
本標準與GB/T6620-1995相比,主要有如下變動:
---修改了測試硅片厚度范圍;
---增加了引用文件、術語、意義和用途、干擾因素和測量環境條件等章節;
---修改了儀器校準部分內容;
---增加了仲裁測量;
---刪除了總厚度變化的計算;
---增加了對仲裁翹曲度平均值和標準偏差的計算。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:洛陽單晶硅有限責任公司,萬向硅峰電子股份有限公司。
本標準主要起草人:張靜雯、蔣建國、田素霞、劉玉芹、樓春蘭。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB6620-1986、GB/T6620-1995。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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