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半導(dǎo)體分立器件3DA601型C波段硅雙極型功率晶體管詳細(xì)規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DA601 C band silicon bipolar power transistor

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 50033/146-2000

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 50033/146-2000
發(fā)布時(shí)間：2000-10-20
實(shí)施時(shí)間：2000-10-20
首發(fā)日期：
出版單位：中國(guó)電子工業(yè)出版社查看詳情>
起草人：黃玉英、鐘志新、榮炳麟
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)電子工業(yè)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類：  >>>>L5961
提出單位：中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部
起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所
歸口單位：中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布部門：中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

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