硅片載流子復合壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法 已作廢
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
標準號：GB/T 26068-2010
基本信息
標準號：GB/T 26068-2010
發布時間：2011-01-10
實施時間：2011-10-01
首發日期：2011-01-10
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：曹孜、孫燕、黃黎、高英、石宇、樓春蘭、王世進、張靜雯
作廢日期：2019-11-01
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
起草單位：有研半導體材料股份有限公司、瑟米萊伯貿易(上海)有限公司、中國計量科學研究院、萬向硅峰電子有限公司、廣州昆德科技有限公司、洛陽單晶硅有限責任公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
標準簡介
本方法適用于測量均勻摻雜、經過拋光處理的n型或p型硅片的載流子復合壽命。本方法是非破壞性、無接觸測量。在電導率檢測系統的靈敏度足夠的條件下,本方法也可應用于測試切割或者經過研磨、腐蝕硅片的載流子復合壽命。
標準摘要
|
本標準由全國半導體設備和材料標準化委員會材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)歸口。 本標準起草單位:有研半導體材料股份有限公司、瑟米萊伯貿易(上海)有限公司、中國計量科學研究院、萬向硅峰電子有限公司、廣州昆德科技有限公司、洛陽單晶硅有限責任公司。 本標準主要起草人:曹孜、孫燕、黃黎、高英、石宇、樓春蘭、王世進、張靜雯。 |
標準目錄
| 前言 Ⅲ 1 范圍 1 2 規范性引用文件 1 3 術語和定義 1 4 檢測方法概述 2 5 干擾因素 3 6 設備 4 7 試劑 5 8 取樣及樣片制備 5 9 測試步驟 7 10 報告 8 11 精密度和偏差 8 附錄A (規范性附錄) 注入水平的修正 9 附錄B(資料性附錄) 注入水平的相關探討 10 附錄C (資料性附錄) 載流子復合壽命與溫度的關系 13 附錄D (資料性附錄) 少數載流子復合壽命 16 附錄E (資料性附錄) 測試方法目的和精密度 19 參考文獻 20 |
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