半導(dǎo)體集成電路 小外形封裝引線框架規(guī)范 現(xiàn)行
Semiconductor integrated circuits—Specification of leadframes for small outline package
標準號：GB/T 15878-2015
基本信息
標準號：GB/T 15878-2015
發(fā)布時間：2015-05-15
實施時間：2016-01-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：林桂賢、王鋒濤、申瑞琴
出版機構(gòu)：中國標準出版社
標準分類： 半導(dǎo)體集成電路
ICS分類：集成電路、微電子學
提出單位：中華人民共和國工業(yè)和信息化部
起草單位：廈門永紅科技有限公司
歸口單位：全國半導(dǎo)體器件標準化技術(shù)委員會(SAC/TC78)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：工業(yè)和信息化部（電子）
標準簡介
本標準規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路小外形封裝(SOP)引線框架(以下簡稱引線框架)的技術(shù)要求及檢驗規(guī)則。本標準適用于半導(dǎo)體集成電路小外形封裝沖制型引線框架。
標準摘要
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本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。 本標準代替 GB/T15878—1995《小外形封裝引線框架規(guī)范》。 本標準與 GB/T15878—1995相比主要變化如下: ———按照標準的使用范圍,將原標準的標準名稱修改為“半導(dǎo)體集成電路 小外形封裝引線框架規(guī)范”; ———關(guān)于規(guī)范性引用文件:增加引導(dǎo)語;抽樣標準由 GB/T2828.1—2012代替 SJ/Z9007—87;增 加引用文件 GB/T2423.60—2008、SJ20129; ———標準中的4.1由“設(shè)計”改為“引線框架尺寸”,將原標準中精壓深度和金屬間隙的有關(guān)內(nèi)容調(diào)整到4.2,并將原標準中“精壓區(qū)”的有關(guān)內(nèi)容并入到“精壓深度”條款中; ———對標準的“4.2 引線框架形狀和位置公差”中相應(yīng)條款順序進行了調(diào)整,并增加了芯片粘接區(qū)下陷和引線框架內(nèi)部位置公差的有關(guān)要求; ———修改了標準中對“側(cè)彎”的要求(見4.2.1):原標準中僅規(guī)定了在150mm 的長度方向上,不超過0.5mm,本標準在整個標稱長度上進行規(guī)定; ———修改了標準中對“卷曲”的要求(見4.2.2):原標準中僅規(guī)定了卷曲變形小于0.5mm,本標準根據(jù)材料的厚度分別進行了規(guī)定; ———修改了標準中對“條帶扭曲”的要求(見 4.2.4):原標準中僅規(guī)定了每條框架上扭曲不超過0.51mm,本標準將框架扭曲修改為條帶扭曲,并根據(jù)材料的厚度分別進行了規(guī)定; ———修改了標準中對“引線扭曲”的要求(見4.2.5):原標準中規(guī)定了引線扭曲的角度及引線寬度上的最大偏移量,本標準刪除了引線寬度上最大偏移量的規(guī)定; ———原標準未考慮精壓深度對精壓寬度的影響,簡單地規(guī)定了精壓深度的尺寸范圍。本標準修改為:在保證精壓寬度不小于引線寬度90%的條件下,精壓深度不大于材料厚度的30%,其參考值為0.015mm~0.06mm(見4.2.6); ———將“金屬間隙”修改為“絕緣間隙”,并修改了標準中對“絕緣間隙”的要求(見4.2.7):原標準規(guī)定“引線框架各內(nèi)引線之間,內(nèi)引線與芯片粘接區(qū)之間的距離不小于0.152mm”,本標準修改為“相鄰兩精壓區(qū)端點間的間隔及精壓區(qū)端點與芯片粘接區(qū)間的間隔大于0.076mm”; ———修改了標準中對“芯片粘接區(qū)斜度”的要求(見4.2.9):原標準中分別規(guī)定了在打凹和未打凹條件下的最大斜度,本標準統(tǒng)一規(guī)定為在長或?qū)捗?.54mm 尺寸最大傾斜0.05mm; ———將原標準中的“芯片粘接區(qū)平面度”與“芯片粘接區(qū)平整度”統(tǒng)一規(guī)定為“芯片粘接區(qū)平面度”(見4.2.11); ———修改了標準中對“毛刺”的要求(見4.3.1):取消了原標準中連筋內(nèi)外不同區(qū)域垂直毛刺的不同要求,本標準統(tǒng)一規(guī)定為0.025mm; ———修改了標準中對“凹坑、壓痕和劃痕”的要求(見4.3.2):在原標準的基礎(chǔ)上增加劃痕的有關(guān)要求; ———修改了標準中對“局部鍍銀層厚度”的要求(見4.4.1):原標準僅規(guī)定了局部鍍銀層的厚度,本標準對局部鍍銀層厚度及任意點分別進行了規(guī)定; ———增加了“銅剝離試驗”的有關(guān)要求(見4.6); ———增加了“銀剝離試驗”的有關(guān)要求(見4.7); ———對標準“5 檢驗規(guī)則”中相應(yīng)條款進行修改,參照 GB/T14112—2015檢驗規(guī)則,并增加了鑒定批準程序和質(zhì)量一致性檢驗的有關(guān)內(nèi)容; ———修改了標準中對“貯存”的有關(guān)要求:原標準有鍍層的保存期為3個月,本標準規(guī)定為6個月(見7.2); ———增加了規(guī)范性附錄 A“引線框架機械測量”。 請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任。 本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出。 本標準由全國半導(dǎo)體器件標準化技術(shù)委員會(SAC/TC78)歸口。 本標準起草單位:廈門永紅科技有限公司。 本標準主要起草人:林桂賢、王鋒濤、申瑞琴。 本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為: ———GB/T15878—1995。 |
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