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碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法 現行

Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

標準號：GB/T 30867-2014

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基本信息

標準號：GB/T 30867-2014
發布時間：2014-07-24
實施時間：2015-02-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：丁麗、周智慧、郝建民、藺嫻、何秀坤、劉筠、馮亞彬、裴會川
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 化合物半導體材料
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)及材料分技術委員會
起草單位：中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國電子技術標準化研究院
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)及材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規定了碳化硅單晶片厚度及總厚度變化(TTV)的測試方法,包括接觸式和非接觸式兩種方式。本標準適用于直徑不小于30mm、厚度為0.13mm~1mm 的碳化硅單晶片

標準摘要

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)及材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標準起草單位:中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國電子技術標準化研究院。
本標準主要起草人:丁麗、周智慧、郝建民、藺嫻、何秀坤、劉筠、馮亞彬、裴會川。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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