當前位置:
首頁 >
硅退火片規(guī)范

Specification for silicon annealed wafers
標準號:GB/T 26069-2010
基本信息
標準號:GB/T 26069-2010
發(fā)布時間:2011-01-10
實施時間:2011-10-01
首發(fā)日期:2011-01-10
出版單位:中國標準出版社查看詳情>
起草人:樓春蘭、孫燕、朱興萍、宮龍飛、王飛堯、黃笑容、方強、汪成生、程國慶
出版機構(gòu):中國標準出版社
標準分類: 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類:半導體材料
起草單位:萬向硅峰電子股份有限公司、有研半導體材料股份公司、寧波立立電子股份有限公司和杭州海納半導體有限公司
歸口單位:全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2)
發(fā)布部門:中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門:全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2)
標準簡介
本標準規(guī)定了半導體器件和集成電路制造用硅退火拋光片的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則等。本標準適用于線寬180nm、130nm 和90nm 工藝退火硅片。
標準摘要
本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC203/SC2)負責歸口。 本標準起草單位:萬向硅峰電子股份有限公司、有研半導體材料股份公司、寧波立立電子股份有限公司和杭州海納半導體有限公司共同負責起草。 本標準主要起草人:樓春蘭、孫燕、朱興萍、宮龍飛、王飛堯、黃笑容、方強、汪成生、程國慶。 |
推薦檢測機構(gòu)
申請入駐
暫未檢測到相關(guān)機構(gòu),邀您申請入駐~
推薦認證機構(gòu)
申請入駐
暫未檢測到相關(guān)機構(gòu),邀您申請入駐~
推薦培訓機構(gòu)
申請入駐
暫未檢測到相關(guān)機構(gòu),邀您申請入駐~