国产精品久久久在线观看_亚洲免费观看视频网站_国产盗摄视频一区二区三区_久久久国产一级 - 日本在线观看一区

歡迎來到寰標網！ 客服QQ：772084082 加入會員

硅開關二極管反向擊穿電壓的測試方法 已廢止

Methods of measurement for reverse breakdown voltage of silicon switching diodes

標準號：SJ 966-1975

獲取原文 如何獲取原文？問客服 獲取原文，即可享受本標準狀態變更提醒服務！
基本信息

標準號：SJ 966-1975
發布時間：1975-07-26
實施時間：1976-06-01
首發日期：
出版單位：中國電子工業出版社查看詳情>
起草人：
作廢日期：2010-01-20
出版機構：中國電子工業出版社
標準分類： 半導體二極管
發布部門：中華人民共和國第四機械工業部

標準簡介

本標準適用于硅開關二極管反向擊穿電壓的測試。測試反向擊穿電壓總的要求應符合SJ962-75.

替代情況

會員注冊/登錄后查看詳情

引用標準

會員注冊/登錄后查看詳情

本標準相關公告

會員注冊/登錄后查看詳情

采標情況

會員注冊/登錄后查看詳情

推薦檢測機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~

推薦認證機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~

推薦培訓機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~