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電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度 廢止

Electromagnetic compatibility - Testing and measurement techniques - Immunity to conducted disturbances induced by radio-frequency fields

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 17626.6-2008

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 17626.6-2008
發(fā)布時(shí)間:2008-05-20
實(shí)施時(shí)間:2009-01-01
首發(fā)日期:1998-12-31
出版單位:中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人:朱琳、林京平、曲林、徐嵬、魯博
作廢日期:2018-07-01
出版機(jī)構(gòu):中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類: 電磁兼容
ICS分類:電磁兼容性(EMC)
提出單位:全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 246)
起草單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三研究所
歸口單位:全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 246)
發(fā)布部門:中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門:國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

GB/T17626的本部分是關(guān)于電氣和電子設(shè)備對(duì)來自9kHz~80 MHz頻率范圍內(nèi)射頻發(fā)射機(jī)電磁騷擾的傳導(dǎo)抗擾度要求。設(shè)備至少通過一條連接電纜(如電源線、信號(hào)線、地線等)與射頻場(chǎng)相耦合。 本部分的目的是當(dāng)電氣和電子電器設(shè)備受到由射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾時(shí),建立一個(gè)評(píng)估抗擾度性能的公用參考。在GB/T17626的本部分中所規(guī)定的測(cè)試方法為評(píng)估設(shè)備或系統(tǒng)對(duì)定義的電磁現(xiàn)象的抗擾度表述了一致的方法。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

GB/T17626 《電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)》目前包括以下部分:
GB/T17626.1-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 抗擾度試驗(yàn)總論
GB/T17626.2-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 靜電放電抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.3-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.4-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.5-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.6-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度
GB/T17626.7-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波、諧間波的測(cè)量和測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則
GB/T17626.8-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.9-1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.10-1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.11-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.12-1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 振蕩波抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.13-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的低頻抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.14-2005 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.16-2007 電磁兼容 試驗(yàn)與測(cè)量技術(shù) 0Hz~150kHz共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.17-2005 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.27-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.28-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)
GB/T17626.29-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 直流電源輸入端口電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)
本部分是GB/T17626的第6部分。
本部分等同采用IEC61000-4-6:2006(第2.2版本)《電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度》。
本部分代替GB/T17626.6-1998 《電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度》。
本部分與GB/T17626.6-1998主要差異在于:
1) 修改了耦合和去耦裝置的受試設(shè)備端口上共模阻抗的校驗(yàn);
2) 修改了耦合裝置的受試設(shè)備端口上輸出電平的設(shè)置;
3) 修改了用于臺(tái)式和落地式設(shè)備的試驗(yàn)配置;
4) 增加了采用耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)注入的程序;
5) 增加了當(dāng)滿足共模阻抗要求時(shí)的鉗注入的程序;
6) 增加了直接注入的程序;
7) 修改了測(cè)試結(jié)果的評(píng)估;
8) 修改了測(cè)試報(bào)告的要求;
9) 修改了圖2b)、圖5和圖10;
10) 增加了附錄F。
本部分的附錄A 為規(guī)范性附錄,附錄B至附錄F為資料性附錄。
本部分由全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC246)提出并歸口。
本部分負(fù)責(zé)起草單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三研究所。
本部分主要起草人:朱琳、林京平、曲林、徐嵬、魯博。
本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)歷次版本的發(fā)布情況為:
---GB/T17626.6-1998。

標(biāo)準(zhǔn)目錄

前言Ⅰ
1 范圍1
2 規(guī)范性引用文件1
3 術(shù)語和定義1
4 概述2
5 試驗(yàn)等級(jí)3
6 測(cè)量設(shè)備3
7 用于臺(tái)式和落地式設(shè)備的試驗(yàn)配置7
8 試驗(yàn)程序10
9 測(cè)試結(jié)果的評(píng)估11
10 測(cè)試報(bào)告11
附錄A (規(guī)范性附錄) 關(guān)于鉗注入法的補(bǔ)充資料20
A.1 電流注入鉗20
A.2 電磁(EM)鉗21
A.3 試驗(yàn)配置23
附錄B (資料性附錄) 選擇適用頻率范圍的準(zhǔn)則24
附錄C (資料性附錄) 選擇試驗(yàn)等級(jí)的指南26
附錄D (資料性附錄) 關(guān)于耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)的資料27
D.1 耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)的基本特性27
D.2 耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)的舉例27
附錄E (資料性附錄) 試驗(yàn)信號(hào)發(fā)生器的規(guī)范31
附錄F (資料性附錄) 大尺寸被測(cè)設(shè)備的測(cè)試布置32
F.1 介紹32
F.2 大尺寸被測(cè)設(shè)備的測(cè)試布置32
參考文獻(xiàn)34

替代情況

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