国产精品久久久在线观看_亚洲免费观看视频网站_国产盗摄视频一区二区三区_久久久国产一级 - 日本在线观看一区

歡迎來(lái)到寰標(biāo)網(wǎng)！ 客服QQ：772084082 加入會(huì)員

決絕緣砷化鎵單晶微區(qū)均勻性測(cè)試方法 現(xiàn)行

Test method for microzone homogeneity of semi-insulating monocrystal gallium arsenide

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 20844-2002

獲取原文 如何獲取原文？問(wèn)客服 獲取原文，即可享受本標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)變更提醒服務(wù)！
基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 20844-2002
發(fā)布時(shí)間：2002-10-30
實(shí)施時(shí)間：2003-03-01
首發(fā)日期：
出版單位：工業(yè)電子出版社查看詳情>
起草人：
出版機(jī)構(gòu)：工業(yè)電子出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 電子技術(shù)專用材料
起草單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六所

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半絕緣砷化鎵晶片中電阻率、碳濃度、EL2濃度和PL譜微區(qū)均勻性測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于半絕緣砷化鎵晶片中電阻率、碳濃度、EL2濃度和PL譜微區(qū)均勻性的測(cè)試。

替代情況

會(huì)員注冊(cè)/登錄后查看詳情

引用標(biāo)準(zhǔn)

會(huì)員注冊(cè)/登錄后查看詳情

本標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)公告

會(huì)員注冊(cè)/登錄后查看詳情

采標(biāo)情況

會(huì)員注冊(cè)/登錄后查看詳情

推薦檢測(cè)機(jī)構(gòu)
申請(qǐng)入駐

暫未檢測(cè)到相關(guān)機(jī)構(gòu)，邀您申請(qǐng)入駐~

推薦認(rèn)證機(jī)構(gòu)
申請(qǐng)入駐

暫未檢測(cè)到相關(guān)機(jī)構(gòu)，邀您申請(qǐng)入駐~

推薦培訓(xùn)機(jī)構(gòu)
申請(qǐng)入駐

暫未檢測(cè)到相關(guān)機(jī)構(gòu)，邀您申請(qǐng)入駐~