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硅外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法 已作廢

Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques

標準號：GB/T 14142-1993

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基本信息

標準號：GB/T 14142-1993
發布時間：1993-02-06
實施時間：1993-10-01
首發日期：1993-02-06
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：
作廢日期：2018-04-01
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 金屬無損檢驗方法
ICS分類：  29.040.30
起草單位：峨眉半導體材料研究所
歸口單位：全國半導體材料和設備標準化技術委員會
發布部門：國家技術監督局
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規定了用化學腐蝕顯示，并用金相顯微鏡檢驗硅外延層晶體缺陷的方法。本標準適用于硅外延層中堆垛層錯和位錯密度測量。硅外延層厚度應大于2μm。測量范圍為0~10000cm-2。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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