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半導(dǎo)體分立器件3DK35B—F型功率開關(guān)晶體管詳細(xì)規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DK35B～F power switching transistors

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 50033/148-2000

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 50033/148-2000
發(fā)布時(shí)間：2000-10-20
實(shí)施時(shí)間：2000-10-20
首發(fā)日期：
出版單位：中國電子工業(yè)出版社查看詳情>
起草人：
出版機(jī)構(gòu)：中國電子工業(yè)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類：  >>>>L5961
提出單位：中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部
起草單位：國營第八七三廠
歸口單位：中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布部門：中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購。

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