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非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法
非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法 現行
Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient
標準號：GB/T 4326-2006
基本信息
標準號：GB/T 4326-2006
發布時間：2006-07-18
實施時間：2006-11-01
首發日期：1984-04-12
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：王彤涵
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 金屬物理性能試驗方法
ICS分類：金屬材料試驗綜合
提出單位：中國有色金屬工業協會
起草單位：北京有色金屬研究總院
歸口單位：全國有色金屬標準化技術委員會
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫總局、國家標準化管理委員會
主管部門：中國有色金屬工業協會
標準簡介
本標準規定的測量方法適用于非本征半導體單晶材料的霍爾系數、載流子霍爾遷移率、電阻率和載流子濃度。 本標準規定的測量方法僅在有限的范圍內對鍺、硅、砷化鎵單晶材料進行了實驗室測量，但該方法也可適用于其他半導體單晶材料，一般情況下，適用于室溫電阻率高達104Ω·cm
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