碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質含量的測定 二次離子質譜法 即將實施
Determination of boron,aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
標準號：GB/T 41153-2021
基本信息
標準號：GB/T 41153-2021
發布時間：2021-12-31
實施時間：2022-07-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：馬農農、何友琴、陳瀟、劉立娜、何烜坤、李素青、張紅巖
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬及半導體材料分析方法
ICS分類：金屬材料試驗
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、 全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
起草單位：中國電子科技集團公司第四十六研究所、有色金屬技術經濟研究院有限責任公司、山東天岳先進科技股份有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、 全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
發布部門：國家市場監督管理總局 國家標準化管理委員會
標準簡介
本文件規定了碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質含量的二次離子質譜測試方法。本文件適用于碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質含量的定量分析，測定范圍為硼含量不小于5×1013 cm-3、鋁含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3，元素濃度（原子個數百分比）不大于1%。
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