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3DG161型NPN硅平面高頻小功率高反壓三極管 現(xiàn)行

Detail specification for silicon NPN epitaxial planar high frequency low power high reverse voltage transistors Type 3DG161

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 797-1974

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 797-1974
發(fā)布時(shí)間：1974-10-01
實(shí)施時(shí)間：1974-10-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國(guó)電子工業(yè)出版社查看詳情>
起草人：
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)電子工業(yè)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半導(dǎo)體三極管
發(fā)布部門：中華人民共和國(guó)第四機(jī)械工業(yè)部

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)適用于3DG161硅NPN平面型高頻小功率高反壓半導(dǎo)體三極管。該產(chǎn)品用于電子設(shè)備中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用。該產(chǎn)品除本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定外，應(yīng)符合半導(dǎo)體三極管總技術(shù)條件SJ614-73的規(guī)定。

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