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用于先進集成電路光刻工藝綜合評估的圖形規范 現行

Specifications for metrology patterns for the evaluation of advanced photolithgraphy

標準號：GB/T 29844-2013

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基本信息

標準號：GB/T 29844-2013
發布時間：2013-11-12
實施時間：2014-04-15
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：王雷、伍強、朱駿、陳寶欽
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 電子技術專用材料
ICS分類：  31.030
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)
起草單位：上海華虹NEC電子有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)

標準簡介

本標準規定了用于先進集成電路光刻工藝綜合評估的標準測試圖形單元的形狀、一般尺寸,以及推薦的布局和設計規則,這些標準測試圖形包括可供光學顯微鏡和掃描電子顯微鏡用的各種圖形單元。本標準適用集成電路的工藝、常規掩模版、光致抗蝕劑和光刻機的特征和能力作出評價及交替移相掩模版相位測量,適用于g線、i線、KrF、ArF等波長的光刻設備及相應的光刻工藝。

標準摘要

本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)提出并歸口。
本標準起草單位:上海華虹NEC電子有限公司。
本標準主要起草人:王雷、伍強、朱駿、陳寶欽。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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