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半導(dǎo)體器件 分立器件 第7部分:雙極型晶體管 第一篇 高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor devices- Discrete devices -Part 7:Bipolar transistors-Section One-Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 6217-1998

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 6217-1998
發(fā)布時(shí)間：1998-01-01
實(shí)施時(shí)間：1999-06-01
首發(fā)日期：1986-04-12
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)： 半導(dǎo)體三極管
ICS分類(lèi)：三極管
起草單位：電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門(mén)：國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局
主管部門(mén)：信息產(chǎn)業(yè)部（電子）

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。

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