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太陽能電池用硅片表面粗糙度及切割線痕測試方法 現行

Test methods for surface roughness and saw mark of silicon wafers for solar cells

標準號：GB/T 30860-2014

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基本信息

標準號：GB/T 30860-2014
發布時間：2014-07-24
實施時間：2015-04-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：徐自亮、任皓、陳佳洵、李銳、孫燕、熊金杰、楊素心、蔣建國、王麗華、薛抗美、黃黎
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 金屬物理性能試驗方法
ICS分類：金屬材料試驗
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)及材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)
起草單位：中國有色金屬工業標準計量質量研究所、瑟米萊伯貿易(上海)有限公司、江蘇協鑫硅材料科技發展有限公司、有研半導體材料股份有限公司、特變電工新疆新能源股份有限公司、洛陽鴻泰半導體有限公司、連云港國家硅材料深加工產品質量監督檢驗中心
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)及材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規定了太陽能電池用硅片(以下簡稱硅片)的表面粗糙度及切割線痕的接觸式或非接觸式輪廓測試方法。本標準適用于通過線切工藝加工生產的單晶和多晶硅片。如果需要適用于其他產品,則需相關各方協商同意。

標準摘要

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)及材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標準起草單位:中國有色金屬工業標準計量質量研究所、瑟米萊伯貿易(上海)有限公司、江蘇協鑫硅材料科技發展有限公司、有研半導體材料股份有限公司、特變電工新疆新能源股份有限公司、洛陽鴻泰半導體有限公司、連云港國家硅材料深加工產品質量監督檢驗中心。
本標準主要起草人:徐自亮、任皓、陳佳洵、李銳、孫燕、熊金杰、楊素心、蔣建國、王麗華、薛抗美、黃黎。

替代情況

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引用標準

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