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金硅面壘型探測器 現(xiàn)行

Partially depleted gold silicon surface barrier detectors

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 13178-2008

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 13178-2008
發(fā)布時間：2008-07-02
實施時間：2009-04-01
首發(fā)日期：1991-04-11
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：李志勇
出版機(jī)構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 核探測器
ICS分類：核能工程
提出單位：中國核工業(yè)集團(tuán)公司
起草單位：中核（北京）核儀器廠
歸口單位：全國核儀器儀表標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
主管部門：全國核儀器儀表標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)參考了IEC 60333：1993《核儀器 半導(dǎo)體帶電粒子探測器 測試程序》。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T 13178-1991《金硅面壘型探測器》。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了部分耗盡金硅面壘型探測器（簡稱探測器）的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、測試方法、檢驗規(guī)則等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于部分耗盡金硅面壘型探測器（不包括位置靈敏探測器）。鋰漂移金硅面壘型探測器也可參照執(zhí)行。本標(biāo)準(zhǔn)保留GB/T 13178-1991的大部分內(nèi)容，對其的主要修改如下：——增加前言；——引用新的規(guī)范性文件；——產(chǎn)品的外形及結(jié)構(gòu)尺寸僅保留A型，刪去原標(biāo)準(zhǔn)的B型和C型；——部分耗盡金硅面壘型探測器的分類僅保留最小耗盡層深度為300μm一類，而主要性能增加“允許最大噪聲”。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)參考了IEC60333:1993《核儀器 半導(dǎo)體帶電粒子探測器 測試程序》。
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T13178-1991《金硅面壘型探測器》(以下簡稱原標(biāo)準(zhǔn))。
本標(biāo)準(zhǔn)保留GB/T13178-1991的大部分內(nèi)容,對其的主要修改如下:
---增加前言;
---引用新的規(guī)范性文件;
---產(chǎn)品的外形及結(jié)構(gòu)尺寸僅保留A 型,刪去原標(biāo)準(zhǔn)的B型和C 型;
---部分耗盡金硅面壘型探測器的分類僅保留最小耗盡層深度為300μm 一類,而主要性能增加允許最大噪聲。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國核工業(yè)集團(tuán)公司提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國核儀器儀表標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中核(北京)核儀器廠。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李志勇。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:GB/T13178-1991。

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