
Semiconductor discrete device-Detail specification for type CS0530 and CS0531 GaAs microwave power field effect transistor
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):SJ 50033.53-1994
基本信息
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):SJ 50033.53-1994
發(fā)布時(shí)間:1994-09-30
實(shí)施時(shí)間:1994-12-01
首發(fā)日期:
出版單位:中國(guó)電子工業(yè)出版社查看詳情>
起草人:黃玉英、李祖華、王長(zhǎng)福
出版機(jī)構(gòu):中國(guó)電子工業(yè)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類: 技術(shù)管理
起草單位:電子工業(yè)部第五十五研究所
歸口單位:中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布部門:中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
本規(guī)范規(guī)定了CS0530、CS0531型砷化鎵(以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求。本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。
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