NEN IEC 60747-9:2007現(xiàn)行

Semiconductor Devices - Discrete Devices - Part 9: Insulated-gate Bipolar Transistors (igbts)

出版：Nederlands Normalisatie Instituut

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)： NEN IEC 60747-9:2007

發(fā)布時(shí)間：2007/10/1 0:00:00

標(biāo)準(zhǔn)類別：Standard

出版單位：Nederlands Normalisatie Instituut

標(biāo)準(zhǔn)頁(yè)數(shù)：117

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

Provides product specific standards for terminology, letter symbols, essential ratings and characteristics, verification of ratings and methods of measurement for insulated-gate bipolar transistors (IGBTs).

替代本標(biāo)準(zhǔn)的新標(biāo)準(zhǔn)

NEN-IEC 60747-9:2019

等同采用的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)

IEC 60747-9 : 2.0 - Identical

IEC 60747-9 Ed. 2.0 - Identical

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NEN IEC 60747-9:2007現(xiàn)行

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