單晶在許多應用中都很重要，從珠寶用合成寶石到固體激光器的主機。對于某些應用，陶瓷材料必須制備成單晶。當用作薄膜生長的基材（例如藍寶石技術上的鎵或超導薄膜的生長）時，單晶的結晶完美性是重要的。寬禁帶半導體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）由于其優異的材料性能，如高臨界電場，使其擊穿電壓至少比Si高10倍或導通電阻小100倍，在電力應用中受到了廣泛的關注。SiC和GaN材料的這些獨特性能使它們成為未來高功率、高頻半導體器件的理想候選材料。在光學應用中，例如使用紅寶石和釔鋁石榴石（YAG）作為激光主機，使用石英和藍寶石作為光學窗口，單晶被用來最小化能量的散射或吸收。在壓電材料（如石英）中，單疇單晶的性能最佳。利用陶瓷單晶理想的光學、電學、磁學或機械特性的一些應用。自1990年基材（substrates）商業化以來，單晶的基材直徑一直在穩步增加，近15年來晶體缺陷大大減少。商業設備是可用的，但它們的廣泛使用將取決于種植者是否有能力提供大的、便宜的、無缺陷的材料。迄今為止，人們已經提出了各種測量單晶薄膜缺陷的方法，而測量大面積（2英寸、4英寸和6英寸等）單晶薄膜晶體質量（平均缺陷程度）的最典型方法是平行X射線衍射（XRD）法。但是，這種方法很容易產生很大的誤差，因為根據用戶的測量過程和條件或樣品的預處理等，分析結果值相差很大。因此，制定一個通用的測量方法和條件的標準是十分必要的。本標準是用平行X射線束X射線衍射法測定單晶薄膜（晶片）的晶體質量的標準。所有的單晶薄膜（晶圓）作為塊狀或外延層結構都包含在本標準的范圍內。您可以聯系中國國家標準委員會對本國際標準草案發表意見。意見征集于2020年3月31日結束。