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碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法 現行

Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers

標準號：GB/T 31351-2014

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基本信息

標準號：GB/T 31351-2014
發布時間：2014-12-31
實施時間：2015-09-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：陳小龍、鄭紅軍、張瑋、郭鈺、劉振洲
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 金屬無損檢驗方法
ICS分類：金屬材料的其他試驗方法
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2)
起草單位：北京天科合達藍光半導體有限公司、中國科學院物理研究所
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/T

標準簡介

本標準規定了4H晶型和6H晶型碳化硅單晶拋光片的微管密度的無損檢測方法。 本標準適用于4H晶型和6H晶型碳化硅單晶拋光片經單面拋光或雙面拋光后、微管的徑向尺寸在一微米至幾十微米范圍內的微管密度的測量。

標準摘要

本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)和全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標準起草單位:北京天科合達藍光半導體有限公司、中國科學院物理研究所。
本標準主要起草人:陳小龍、鄭紅軍、張瑋、郭鈺、劉振洲。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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