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LED外延芯片用磷化鎵襯底 現行

GaP substrates for LED epitaxial chips

標準號：GB/T 30855-2014

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基本信息

標準號：GB/T 30855-2014
發布時間：2014-07-24
實施時間：2015-04-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：趙有文、提劉旺、林泉、惠峰、趙堅強
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 化合物半導體材料
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)及材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)
起草單位：中國科學院半導體研究所、有研光電新材料有限公司、云南中科鑫圓晶體材料有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)及材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規定了 LED外延芯片用磷化鎵單晶襯底片(以下簡稱襯底)的要求、檢驗方法以及標志、包裝、運輸、儲存、質量證明書與訂貨單(或合同)內容。本標準適用于 LED外延芯片的磷化鎵單晶襯底。

標準摘要

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)及材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標準主要起草單位:中國科學院半導體研究所、有研光電新材料有限公司、云南中科鑫圓晶體材料有限公司。
本標準主要起草人:趙有文、提劉旺、林泉、惠峰、趙堅強。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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