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半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法 已作廢

Test method for carbon concentration of semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 19199-2003

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 19199-2003
發(fā)布時(shí)間：2003-06-16
實(shí)施時(shí)間：2004-01-01
首發(fā)日期：2003-06-16
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：汝瓊娜、段曙光、李光平
作廢日期：2016-07-01
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)： 元素半導(dǎo)體材料
ICS分類(lèi)：半導(dǎo)體材料
提出單位：中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)
起草單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門(mén)：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門(mén)：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了非摻雜半絕緣砷化鎵晶片中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率大于1.0×10

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