污穢條件下使用的高壓絕緣子的選擇和尺寸確定 第2部分：交流系統(tǒng)用瓷和玻璃絕緣子 現(xiàn)行
Selection and dimensioning of high-voltage insulators intended for use in polluted conditions—Part 2:Ceramic and glass insulators for a.c.systems
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 26218.2-2010
GB/T26218的本部分適用于污穢條件下交流系統(tǒng)用瓷和玻璃絕緣子的選擇和尺寸確定。本部分規(guī)定了所設(shè)定絕緣子在一定污穢環(huán)境下得出其可能性能的判斷方法的特定導(dǎo)則和原理。GB/T26218.1適用于本部分。本部分的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)以及方法在GB/T26218.1有詳細(xì)的說明。本部分提供給使用者的目的在于:● 從現(xiàn)場(chǎng)污穢度(SPS)等級(jí)確定參考統(tǒng)一爬電比距(USCD);● 評(píng)定各種絕緣子外形的適宜性;● 對(duì)RUSCD就絕緣子形狀、尺寸和位置等實(shí)施校正以確定必需的USCD;● 如有要求,確定驗(yàn)證所選取絕緣子性能的適當(dāng)?shù)脑囼?yàn)方法和參數(shù)。
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GB/T26218《污穢條件下使用的高壓絕緣子的選擇和尺寸確定》分為5個(gè)部分: ———第1部分:定義、信息和一般原則 ———第2部分:交流系統(tǒng)用瓷和玻璃絕緣子 ———第3部分:交流系統(tǒng)用聚合物絕緣子 ———第4部分:直流系統(tǒng)用瓷和玻璃絕緣子 ———第5部分:直流系統(tǒng)用聚合物絕緣子 本部分為GB/T26218的第2部分。 本部分修改采用了IEC/TS60815-2:2008《污穢條件下使用的高壓絕緣子的選擇和尺寸確定 第2部分:交流系統(tǒng)用瓷和玻璃絕緣子》(英文版)。 本部分與IEC/TS60815-2相比,在8.1中增加了雙層傘外形,在圖中增加了示出雙層傘盤形懸式外形的圖7,將IEC/TS60815-2中交替?zhèn)阒械娜龑觽惚P形懸式與雙層傘盤形懸式列入同一類型。 考慮到我國(guó)國(guó)情,在采用IEC/TS60815-1:2008時(shí),本部分還作了一些修改。有關(guān)技術(shù)性差異已編入正文并在它們所涉及的條款的頁邊空白處用垂直單線(︱)標(biāo)識(shí)。在附錄A 中給出了這些技術(shù)性差異及其原因的一覽表以供參考。 為便于使用,本部分還做了下列編輯性修改: a) “本技術(shù)規(guī)范”一詞改為“本部分”; b) 用小數(shù)點(diǎn)“.”代替作為小數(shù)點(diǎn)的逗號(hào)“,”; c) 刪除IEC/TS60815-1:2008的前言; d) 將3.2的編號(hào)改為3.1.1,將3.3的編號(hào)改為3.1.2,將3.4的編號(hào)改為3.2。 除上述d)中的編輯性修改和增加了附錄A 外,本部分其余章條編號(hào)和IEC/TS60815-2:2008一致。 第 1部分和本部分涵蓋了GB/T5582—1993和所有的技術(shù)內(nèi)容。本部分與GB/T5582—1993和GB/T16434—1996相比,相關(guān)的技術(shù)內(nèi)容變化如下:本部分規(guī)定了RUSCD的確定方法和較全面的對(duì)其校正的方法。GB/T5582—1993和GB/T16434—1996雖然都規(guī)定了爬電比距分級(jí)數(shù)值(與本部分規(guī)定的RUSCD 意義相同),但均未規(guī)定按外形適應(yīng)性、外形參數(shù)、以及按海拔、絕緣子直徑校正爬電比距的方法。 本部分規(guī)定了較全面的人工污穢試驗(yàn)參數(shù)。GB/T5582—1993雖然規(guī)定了人工污穢耐受值(與本部分規(guī)定的RUSCD意義相同),但僅涉及了固體層法,未規(guī)定鹽霧法。而且在固體層法中只考慮了ESDD,未考慮NSDD。GB/T16434—1996未規(guī)定人工污穢試驗(yàn)參數(shù)。 GB/T26218的第1部分與GB/T5582—1993和GB/T16434—1996相關(guān)的技術(shù)內(nèi)容變化見該部分的前言。 本部分和第1部分代替GB/T5582—1993《高壓電力設(shè)備外絕緣污穢等級(jí)》、GB/T16434—1996《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污穢分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》。 本部分的附錄A 為資料性附錄。 本部分由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。 本部分由全國(guó)絕緣子標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)歸口(SAC/TC80)。 本部分起草單位:西安高壓電器研究院有限責(zé)任公司西安電瓷研究所、重慶大學(xué)、清華大學(xué)、國(guó)網(wǎng)電力科學(xué)研究院、中國(guó)電力科學(xué)研究院、南方電網(wǎng)超高壓輸電公司、蘇州電瓷廠有限公司、唐山高壓電瓷有限公司、NGK唐山電瓷有限公司、自貢賽迪維爾有限公司、西安西電高壓電瓷有限責(zé)任公司、南京電氣(集團(tuán))有限公司、大連電瓷有限公司、浙江電力試驗(yàn)研究院。 本部分主要起草人:李大楠、姚君瑞、舒立春、梁曦東、蔣興良、楊迎建、吳光亞、宿志一、范建斌、肖勇、陸洲、楊明、董剛、何勇、王衛(wèi)國(guó)、石玉秉、張繼軍、葉自強(qiáng)、王云鵬。 |
| 前言 Ⅰ 1 范圍和目的 1 2 規(guī)范性引用文件 1 3 術(shù)語和定義、縮略語 1 4 原理 2 5 材料 2 6 現(xiàn)場(chǎng)污穢度的測(cè)定 2 7 參考統(tǒng)一爬電比距(RUSCD)的確定 3 8 外形的選擇 3 9 外形參數(shù)的核對(duì) 8 10 RUSCD的校正 11 11 需求的最小公稱爬電距離的確定 12 12 試驗(yàn)驗(yàn)證 12 附錄A (資料性附錄) 本部分與IEC/TS60815-2:2008的技術(shù)差異及其原因 14 參考文獻(xiàn) 15 |
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