碳化硅單晶拋光片 現(xiàn)行
Polished monocrystalline silicon carbide wafers
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 30656-2014
基本信息
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 30656-2014
發(fā)布時(shí)間：2014-12-31
實(shí)施時(shí)間：2015-09-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：陳小龍、鄭紅軍、張瑋、郭鈺、劉春俊、劉振洲
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)： 化合物半導(dǎo)體材料
ICS分類(lèi)：半導(dǎo)體材料
提出單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)(SAC/TC203/SC2)
起草單位：陳小龍、鄭紅軍、張瑋、郭鈺、劉春俊、劉振洲
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)(SAC/TC203/SC2)
發(fā)布部門(mén)：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門(mén)：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了4H及6H碳化硅單晶拋光片的要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存、質(zhì)量證明書(shū)及訂貨單（或合同）內(nèi)容。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于4H及6H碳化硅單晶研磨片經(jīng)單面或雙面拋光后制備的碳化硅單晶拋光片。產(chǎn)品主要用于制作半導(dǎo)體照明及電力電子器件的外延襯底。
標(biāo)準(zhǔn)摘要
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本標(biāo)準(zhǔn)按照 GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。 請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專(zhuān)利的責(zé)任。 本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。 本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司、中國(guó)科學(xué)院物理研究所。 本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:陳小龍、鄭紅軍、張瑋、郭鈺、劉春俊、劉振洲。 |
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