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半導(dǎo)體分立器件3DA510型硅微波脈沖功率晶體管詳細(xì)規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DA510 silicon microwave pulse power transistor

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 50033/169-2004

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ 50033/169-2004
發(fā)布時(shí)間：2004-08-02
實(shí)施時(shí)間：2004-12-01
首發(fā)日期：
起草人：
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半導(dǎo)體三極管
ICS分類：半導(dǎo)體器件
起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部電子第四研究所

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本規(guī)范規(guī)定了3DA510型硅微波脈沖功率晶體管（以下簡稱器件）的詳細(xì)要求。

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