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硅片氧沉淀特性的測(cè)定-間隙氧含量減少法 現(xiàn)行

Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 19444-2004

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 19444-2004
發(fā)布時(shí)間：2004-02-05
實(shí)施時(shí)間：2004-07-01
首發(fā)日期：2004-02-05
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：蔣建國、屠妹英、賀東江、章云杰
出版機(jī)構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 金屬無損檢驗(yàn)方法
ICS分類：絕緣流體綜合
提出單位：中國有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)
起草單位：洛陽單晶硅有限責(zé)任公司、中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由測(cè)量硅片間隙氧含量的減少量來檢驗(yàn)硅片氧沉淀特性的方法原理、取樣規(guī)則、熱處理程序、試驗(yàn)步驟、數(shù)據(jù)計(jì)算等內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)用于定性比較兩批或多批集成電路用硅片間隙氧沉淀特性。

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