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離子注入機(jī)通用規(guī)范

General specification of ion implantation equipment
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 15862-2012
基本信息
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 15862-2012
發(fā)布時(shí)間:2012-11-05
實(shí)施時(shí)間:2013-02-15
首發(fā)日期:1995-12-22
出版單位:中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人:郭健輝、彭立波、羅宏洋
出版機(jī)構(gòu):中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類: 加工專用設(shè)備
ICS分類:
31-550
提出單位:中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所
歸口單位:中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布部門:中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門:中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了離子注入機(jī)的術(shù)語(yǔ)、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)、檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存。本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體工藝用電能離子注入機(jī)。其他離子注入機(jī)亦可參照使用。
標(biāo)準(zhǔn)摘要
本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。 本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T15862—1995《離子注入機(jī)通用技術(shù)條件》。 本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T15862—1995相比主要變化如下: ———GBn193—1983由GB/T13384—1992代替; ———增加術(shù)語(yǔ)“注入角度”(見(jiàn)3.6)、“最大晶片傳輸效率”(見(jiàn)3.7),并在性能指標(biāo)及測(cè)試方法中做相應(yīng)要求(見(jiàn)6.4.6); ———環(huán)境溫度調(diào)整為23℃±2℃;相對(duì)濕度規(guī)定范圍30%~50%(見(jiàn)5.1.3); ———安全要求中增加“警示標(biāo)識(shí)”的條款(見(jiàn)6.3.1); ———去掉表3、表4; ———均勻性測(cè)量增加了熱波探針?lè)y(cè)量條件和方法(見(jiàn)6.4.4.1b)); ———重復(fù)性測(cè)量增加了批間重復(fù)性測(cè)量方法(見(jiàn)6.4.5.2); ———檢驗(yàn)規(guī)則去掉例行檢驗(yàn)項(xiàng)。 本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出。 本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口。 本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所。 本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:郭健輝、彭立波、羅宏洋。 本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為: ———GB/T15862—1995。 |
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