電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級及雜質含量分析和報告標準指南 現行
Standard guide for analysis and reporting the impurity content and grade of high purity metallic sputtering targets for electronic thin film applications
標準號：YS/T 935-2013
基本信息
標準號：YS/T 935-2013
發布時間：2013-10-17
實施時間：2014-03-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：張濤、何金江、丁照崇、萬小勇、徐建衛、廖贊、尚再艷、王欣平、熊曉東、呂保國
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 貴金屬及其合金
ICS分類：其他有色金屬產品
起草單位：有研億金新材料股份有限公司
歸口單位：全國有色金屬標準化技術委員會(SAC/TC 243)
發布部門：中華人民共和國工業和信息化部
主管部門：全國有色金屬標準化技術委員會(SAC/TC 243)
標準簡介
本標準規定了電子薄膜制備用高純金屬濺射靶材的純度等級的定義方法、雜質含量分析方法、抽樣規則及靶材純度等級報告標準規范等內容。本標準適用于電子薄膜用各類高純金屬濺射靶材。其他對純度有較高要求的靶材純度等級、雜質含量分析及報告規范也可參照使用。
標準摘要
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本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。 本標準參照了ASTMF2113-01(2011)《電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級及雜質含量的分析及報告標準指南》。 本標準由全國有色金屬標準化技術委員會(SAC/TC243)歸口。 本標準起草單位:有研億金新材料股份有限公司。 本標準主要起草人:張濤、何金江、丁照崇、萬小勇、徐建衛、廖贊、尚再艷、王欣平、熊曉東、呂保國。 |
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