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電子元器件詳細規(guī)范 3DA504型S波段硅脈沖功率晶體管 現(xiàn)行

Detail specification for electronic components Type 3DA504 S band silicon pulse power transistor

標準號：SJ/T 11225-2000

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基本信息

標準號：SJ/T 11225-2000
發(fā)布時間：2000-08-16
實施時間：2000-10-01
首發(fā)日期：
起草人：
標準分類： 半導體三極管
ICS分類：三極管
起草單位：信息產業(yè)部電子工業(yè)標準化研究所

標準簡介

本規(guī)范適用于3DA504型波段脈沖功率晶體管，它是按照GB/T 7576-1998《半導體器件 分立器件 第7部分雙極型晶體管 第四篇 高頻放大管殼額定雙極型晶體管空白詳細規(guī)范》標準制訂的，符合GB/T 4589.1-1989《半導體器件 分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB/T 12560-1999《半導體器件 分立器件分規(guī)范》的II類要求。本規(guī)范引用的標準有GB/T 4587-1994《半導體分立器件和集成電路 第7部分 雙極型晶體管》、GB/T 4589.1-1989《半導體器件 分立器件和集成電路總規(guī)范》、GB/T 4937-1995《半導體器件機械和氣候試驗方法》和GJB 128A-97《半導體器件試驗方法》。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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