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非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測試方法 已作廢

Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-steady-state surface photovoltage

標(biāo)準號:YS/T 679-2008

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基本信息

標(biāo)準號:YS/T 679-2008
發(fā)布時間:2008-03-12
實施時間:2008-09-01
首發(fā)日期:
出版單位:中國標(biāo)準出版社查看詳情>
起草人:孫燕、盧立延、杜娟、李俊峰、翟富義
作廢日期:2019-04-01
出版機構(gòu):中國標(biāo)準出版社
標(biāo)準分類: 半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類:半導(dǎo)體材料
提出單位:全國有色金屬標(biāo)準化技術(shù)委員會
起草單位:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司
歸口單位:全國有色金屬標(biāo)準化技術(shù)委員會
發(fā)布部門:國家發(fā)展和改革委員會

標(biāo)準簡介

本標(biāo)準適用于非本征單晶半導(dǎo)體材料樣品或相同導(dǎo)電類型重摻襯底上沉積已知電阻率的同質(zhì)外延層中的少數(shù)載流子擴散長度的測量。要求樣品或外延層厚度大于4倍的擴散長度。 本標(biāo)準修改采用SEMI MF 391-1106《非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測試方法》。本標(biāo)準與SEMI MF 391-1106相比主要有如下變化:———標(biāo)準格式按GB/T 1.1要求編排;———將SEMI MF 391-1106中的部分注轉(zhuǎn)換為正文;———將SEMI MF 391-1106中部分內(nèi)容進行了編排。

標(biāo)準摘要

本標(biāo)準修改采用SEMIMF391-1106《非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測試方法》。
本標(biāo)準與SEMIMF391-1106相比主要有如下變化:
---標(biāo)準格式按GB/T1.1要求編排;
---將SEMIMF391-1106中的部分注轉(zhuǎn)換為正文;
---將SEMIMF391-1106中部分內(nèi)容進行了編排。
本標(biāo)準由全國有色金屬標(biāo)準化技術(shù)委員會提出并歸口。
本標(biāo)準由有研半導(dǎo)體材料股份有限公司負責(zé)起草。
本標(biāo)準主要起草人:孫燕、盧立延、杜娟、李俊峰、翟富義。

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