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碳化硅單晶片平整度測試方法 現(xiàn)行

Test method for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 32278-2015

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 32278-2015
發(fā)布時間：2015-12-10
實施時間：2017-01-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：陳小龍、鄭紅軍、張瑋、郭鈺。
出版機構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 金屬物理性能試驗方法
ICS分類：金屬材料試驗
提出單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC203)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)
起草單位：北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司、中國科學(xué)院物理研究所。
歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
主管部門：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會(SAC/T

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶拋光片的平整度,即總厚度變化(TTV)、局部厚度變化(LTV)、彎曲度(Bow)、翹曲度(Warp)的測試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑為50.8mm、76.2mm、100mm,厚度0.13mm~1mm 碳化硅單晶拋光片平整度的測試。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC203)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司、中國科學(xué)院物理研究所。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:陳小龍、鄭紅軍、張瑋、郭鈺。

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