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晶體硅光伏（PV）方陣I-V特性的現(xiàn)場測量 現(xiàn)行

Crystalline silicon photovoltaic (PV) array-On-site measurements of I-V characteristics

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 18210-2000

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 18210-2000
發(fā)布時間：2000-10-17
實(shí)施時間：2001-05-01
首發(fā)日期：2000-10-17
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：
出版機(jī)構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 物理電源
ICS分類：太陽能工程
起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部電子第十八研究所
歸口單位：全國太陽光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
發(fā)布部門：國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局
主管部門：信息產(chǎn)業(yè)部（電子）

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)描述晶體硅光伏方陣特性的現(xiàn)場測量及將測得的數(shù)據(jù)外推到標(biāo)準(zhǔn)測試條件（STC）或其他選定的溫度攻輻照度條件下的程序。

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