硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測量 X射線光電子能譜法 現行
Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
標準號：GB/T 25188-2010
基本信息
標準號：GB/T 25188-2010
發布時間：2010-09-26
實施時間：2011-08-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：劉芬、王海、趙良仲、宋小平、趙志娟、邱麗美
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 基礎標準與通用方法
ICS分類：化學分析
提出單位：全國微束分析標準化技術委員會
起草單位：中國科學院化學研究所、中國計量科學研究院
歸口單位：全國微束分析標準化技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國微束分析標準化技術委員會
標準簡介
本標準規定了一種準確測量硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的方法,即X 射線光電子能譜法(XPS)。本標準適用于熱氧化法在硅晶片表面制備的超薄氧化硅層厚度的準確測量;通常,本標準適用的氧化硅層厚度不大于6nm。
標準摘要
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本標準由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口。 本標準起草單位:中國科學院化學研究所、中國計量科學研究院。 本標準起草人:劉芬、王海、趙良仲、宋小平、趙志娟、邱麗美。 |
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