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半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第4部分：強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)（HAST） 現(xiàn)行

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 4: Damp heat, steady state, highly accelerated stress test (HAST)

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 4937.4-2012

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 4937.4-2012
發(fā)布時(shí)間：2012-11-05
實(shí)施時(shí)間：2013-02-15
首發(fā)日期：2012-11-05
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：李麗霞、陳海蓉、崔波
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半導(dǎo)體分立器件綜合
ICS分類：半導(dǎo)體器件綜合
提出單位：中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 78)
發(fā)布部門：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 78)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

GB/T4937的本部分規(guī)定了強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)(HAST)方法,用于評(píng)價(jià)非氣密封裝半導(dǎo)體器件在潮濕的環(huán)境下的可靠性。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

GB/T4937《半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》由以下部分組成:
———第1部分:總則;
———第2部分:低氣壓;
———第3部分:外部目檢;
———第4部分:強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)(HAST);
———第5部分:穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn);
———第6部分:高溫貯存;
———第7部分:內(nèi)部水汽含量測(cè)試和其他殘余氣體分析;
———第8部分:密封;
———第9部分:標(biāo)志耐久性;
———第10部分:機(jī)械沖擊;
———第11部分:快速溫度變化 雙液槽法;
———第12部分:變頻振動(dòng);
———第13部分:鹽氣;
———第14部分:引線牢固性(引線強(qiáng)度);
———第15部分:通孔安裝器件的耐焊接熱;
———第16部分:粒子碰撞噪聲檢測(cè)(PIND);
———第17部分:中子輻射;
———第18部分:電離輻射(總劑量);
———第19部分:芯片剪切強(qiáng)度;
———第20部分:塑封表面安裝器件的耐濕和耐焊接熱;
———第21部分:可焊性;
———第22部分:鍵合強(qiáng)度;
———第23部分:高溫工作壽命;
———第24部分:加速耐濕 無(wú)偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn);
———第25部分:溫度循環(huán);
———第26部分:靜電放電(ESD)敏感度試驗(yàn) 人體模式(HBM);
———第27部分:靜電放電(ESD)敏感度試驗(yàn) 機(jī)械模式(MM);
———第28部分:靜電放電(ESD)敏感度試驗(yàn) 器件帶電模式(CDM)(考慮中);
———第29部分:門鎖試驗(yàn);
———第30部分:非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理;
———第31部分:塑封器件的易燃性(內(nèi)部引起的);
———第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的);
———第33部分:加速耐濕 無(wú)偏置高壓蒸煮;
———第34部分:功率循環(huán);
———第35部分:塑封電子元器件的聲學(xué)掃描;
———第36部分:恒定加速度;
———第37部分:手持電子產(chǎn)品用元器件桌面跌落試驗(yàn)方法;
———第38部分:半導(dǎo)體器件的軟錯(cuò)誤試驗(yàn)方法;
———第39部分:半導(dǎo)體元器件原材料的潮氣擴(kuò)散率和水溶解率測(cè)量。
本部分是GB/T4937的第4部分。
本部分按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本部分使用翻譯法等同采用IEC60749-4:2002《半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第4部分:強(qiáng)
加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)(HAST)》。
為便于使用,本部分做了下列編輯性修改和勘誤:
a) 用小數(shù)點(diǎn)“.”代替作為小數(shù)點(diǎn)的逗號(hào)“,”;
b) 刪除國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的前言;
c) 將第8章e)中“見(jiàn)3.1”改為“見(jiàn)4.2”。
本部分由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出。
本部分由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC78)歸口。
本部分起草單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所。
本部分主要起草人:李麗霞、陳海蓉、崔波。

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