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硅壓阻式壓力敏感芯片
硅壓阻式壓力敏感芯片 現(xiàn)行
Silicon piezoresistive pressure-sensitive chip
標準號：GB/T 28856-2012
基本信息
標準號：GB/T 28856-2012
發(fā)布時間：2012-11-05
實施時間：2013-02-15
首發(fā)日期：2012-11-05
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：唐慧、劉沁、徐秋玲、于振毅、張治國等
出版機構(gòu)：中國標準出版社
標準分類： 儀器、儀表用材料和元件
ICS分類：力、重力和壓力的測量
提出單位：中國機械工業(yè)聯(lián)合會
起草單位：沈陽儀表科學(xué)研究院、傳感器國家工程研究中心、國家儀器儀表元器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、昆山雙橋傳感器測控技術(shù)有限公司等
歸口單位：中國機械工業(yè)聯(lián)合會
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：中國機械工業(yè)聯(lián)合會
標準簡介
本標準規(guī)定了硅壓阻式壓力敏感芯片術(shù)語和定義、分類、基本參數(shù)、要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸及貯存。本標準適用于硅壓阻式壓力敏感芯片。
標準摘要
|
本標準按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。 本標準由中國機械工業(yè)聯(lián)合會提出。 本標準由中國機械工業(yè)聯(lián)合會歸口。 本標準起草單位:沈陽儀表科學(xué)研究院、傳感器國家工程研究中心、國家儀器儀表元器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、昆山雙橋傳感器測控技術(shù)有限公司、大連理工大學(xué)、中國電子科技集團公司第四十九研究所、北京鑫諾金傳感技術(shù)有限公司、北京瑞普恩德斯豪斯儀表有限公司、南京沃天科技有限公司、中國儀器儀表協(xié)會傳感器分會、中國儀器儀表學(xué)會儀表元件分會。 本標準主要起草人:唐慧、劉沁、徐秋玲、于振毅、張治國、徐淑霞、殷波、王冰、陳信琦、黃正興、王文襄、郭宏、寧寧、李延夫、高峰。 |
標準目錄
| 前言 Ⅲ 1 范圍 1 2 規(guī)范性引用文件 1 3 術(shù)語與定義 1 4 分類 1 4.1 電隔離類型 1 4.2 敏感芯片參考感壓腔類型 2 5 基本參數(shù) 2 5.1 測量范圍 2 5.2 工作介質(zhì) 2 5.3 工作溫度范圍 2 5.4 激勵電源 2 6 要求 2 6.1 總則 2 6.2 基本性能要求 2 7 試驗方法 5 7.1 環(huán)境條件 5 7.2 電氣連接及外觀 5 7.3 敏感電阻 6 7.4 漏電流 6 7.5 擊穿電壓 6 7.6 隔離電壓 7 7.7 零點失調(diào)電壓 7 7.8 常壓失調(diào)電壓 7 7.9 靜態(tài)性能 7 7.10 穩(wěn)定性 8 8 檢驗規(guī)則 8 8.1 檢驗分類 8 8.2 出廠檢驗 8 8.3 型式檢驗 9 9 標志、包裝、運輸及貯存 10 9.1 標志 10 9.2 包裝 10 9.3 運輸 10 9.4 貯存 10 附錄A (規(guī)范性附錄) 傳感器性能指標的計算方法 11 A.1 實際校準特性 11 A.2 最小二乘法直線方程 11 A.3 滿量程輸出(YFS) 12 A.4 非線性(ξL) 12 A.5 遲滯(ξH) 12 A.6 重復(fù)性(ξR) 12 A.7 準確度(ξ) 13 A.8 零點漂移(dz) 13 A.9 熱零點漂移(α) 14 A.10 熱滿量程輸出漂移(β) 14 |
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