基本信息
標準號：GB/T 12962-2015
發布時間：2015-12-10
實施時間：2017-01-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：孫燕、張果虎、張雪囡、黃笑容、樓春蘭、王飛堯、朱興萍、何良恩、徐新華、楊素心、由佰玲、李麗妍
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 元素半導體材料
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2)
起草單位：有研新材料股份有限公司、天津市環歐半導體材料技術有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、浙江省硅材料質量檢驗中心、杭州海納半導體有限公司、萬向硅峰電子股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司、中國有色金屬工業標準計量質量研究所等
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/T
標準簡介
本標準規定了硅單晶的牌號及分類、要求、檢驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書和訂貨單(或合同)內容等。本標準適用于直拉法、懸浮區熔法(包括中子嬗變摻雜和氣相摻雜)制備的直徑不大于200mm 的硅單晶。產品主要用于制作半導體元器件。
標準摘要
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本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。 本標準代替GB/T12962—2005《硅單晶》。本標準與GB/T12962—2005相比,主要變化如下: ———增加了直徑小于或等于50.8mm 直拉硅單晶及要求(見5.1.1); ———增加了直徑200mm 區熔硅單晶及要求(見5.1.1); ———增加了對直拉硅單晶的載流子壽命要求(見5.2.1); ———修訂了n型區熔高阻硅單晶電阻率范圍的要求(見5.2.1); ———增加了摻雜比為F5 的中子嬗變摻雜硅單晶的要求(見5.2.1); ———修訂了摻雜比為F10 的中子嬗變摻雜硅單晶的徑向電阻率變化及少數載流子壽命要求(見5.2.1); ———修訂了氣相摻雜區熔硅單晶的直徑、電阻率及少數載流子壽命等要求(見5.2.1); ———“金屬含量”要求中刪除了“重摻雜直拉硅單晶的基硼、基磷含量由供需雙方商定提供”內容(見5.8); ———取樣由文字描述改為表6; ———增加了訂貨單內容(見第9章)。 本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。 本標準起草單位:有研新材料股份有限公司、天津市環歐半導體材料技術有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、浙江省硅材料質量檢驗中心、杭州海納半導體有限公司、萬向硅峰電子股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司、中國有色金屬工業標準計量質量研究所、廣東泰卓光電科技股份有限公司。 本標準主要起草人:孫燕、張果虎、張雪囡、黃笑容、樓春蘭、王飛堯、朱興萍、何良恩、徐新華、楊素心、由佰玲、李麗妍。 本標準所代替標準的歷次版本發布情況為: ———GB/T12962—1991、GB/T12962—1996、GB/T12962—2005。 |
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