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表面化學(xué)分析 深度剖析 用機(jī)械輪廓儀柵網(wǎng)復(fù)型法測(cè)量濺射速率 現(xiàn)行

Surface chemical analysis—Depth profiling—Measurement of sputtering rate:mesh-replica method using a mechanical stylus profilometer

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 32999-2016

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 32999-2016
發(fā)布時(shí)間:2016-10-13
實(shí)施時(shí)間:2017-09-01
首發(fā)日期:
出版單位:中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人:吳正龍、姚文清
出版機(jī)構(gòu):中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi): 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法
ICS分類(lèi):化學(xué)分析
提出單位:全國(guó)微束標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 38)
起草單位:北京師范大學(xué)分析測(cè)試中心、清華大學(xué)分析中心
歸口單位:全國(guó)微束標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 38)
發(fā)布部門(mén):中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門(mén):國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用俄歇電子能譜(AES)和X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)測(cè)定深度剖析離子濺射速率的方法,試樣的離子濺射面積范圍為0.4 mm?2~3.0 mm?2。本標(biāo)準(zhǔn)只適用于橫向均勻的體相材料或單層材料,其離子濺射速率由濺射深度與濺射時(shí)間確定,濺射深度通過(guò)機(jī)械探針輪廓儀測(cè)得。?本標(biāo)準(zhǔn)提供了一種將深度剖析中的離子濺射時(shí)間轉(zhuǎn)換為濺射深度的方法,并假設(shè)濺射速率恒定。本方法不是為掃描探針顯微系統(tǒng)設(shè)計(jì)的,因此不能用掃描探針顯微系統(tǒng)評(píng)價(jià)該方法。本方法不適用于濺射面積小于0.4 mm?2的情況,也不適用于濺射誘導(dǎo)的表面粗糙度與被測(cè)區(qū)域的濺射深度相比較明顯的情況。?

替代情況

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